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SIP32431DNP3-T1GE4

超低泄漏和静态电流、带反向阻断功能的负载开关

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描述: SiP32431和SiP32432是具有极低泄漏电流和静态电流的斜率控制高侧开关，并具备反向阻断能力。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1.4A的连续电流。它们的工作输入电压范围为1.5V至5.5V。这些器件具有低输入逻辑电平，可以与来自微处理器的低控制电压接口。SiP32431采用高电平使能控制，而SiP32432采用低电平使能控制。两种器件都具有非常低的工作电流，在3.3V电源下通常为10pA。SiP32431和SiP32432提供无铅封装选项，包括6引脚SC-70-6和4引脚TDFN 4 1.2 mm x 1.6 mm DFN4封装。工作温度范围指定为-40°C至+85°C。紧凑的封装选项、工作电压范围以及低工作电流使其非常适合电池供电应用。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIP32431DNP3-T1GE4
商品编号: C727398
商品封装: TDFN-4-EP(1.2x1.6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.034克(g)

商品参数

商品概述

SiP32431和SiP32432是具有极低泄漏电流和静态电流的斜率控制高侧开关，并具备反向阻断能力。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1.4A的连续电流。它们的工作输入电压范围为1.5V至5.5V。这些器件具有低输入逻辑电平，可以与来自微处理器的低控制电压接口。SiP32431采用高电平使能控制，而SiP32432采用低电平使能控制。两种器件都具有非常低的工作电流，在3.3V电源下通常为10pA。SiP32431和SiP32432提供无铅封装选项，包括6引脚SC-70-6和4引脚TDFN 4 1.2 mm x 1.6 mm DFN4封装。工作温度范围指定为-40°C至+85°C。紧凑的封装选项、工作电压范围以及低工作电流使其非常适合电池供电应用。

应用领域

无线传感器网络
智能电表
可穿戴设备
物联网
便携式医疗设备
安防系统
电池供电设备
便携仪器

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	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	类型	高侧开关
	输入控制逻辑	高电平有效
	最大连续电流	1.4A

	属性	参数值
	工作电压	1.5V~5.5V
	导通电阻	105mΩ
	工作温度	-40℃~+85℃