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SI3407DV-T1-GE3实物图
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SI3407DV-T1-GE3

耐压:20V 电流:8A

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描述
特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 PWM优化。 100%汞测试。 100% UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：负载开关。 笔记本电脑
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI3407DV-T1-GE3
商品编号
C727394
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.025克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@4.5V,8A
耗散功率(Pd)4.2W
阈值电压(Vgs(th))650mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21nC@10V
输入电容(Ciss)1.67nF@10V
反向传输电容(Crss)284pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)335pF

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