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SI8487DB-T1-E1实物图
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SI8487DB-T1-E1

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 低导通电阻。 超小外形尺寸，最大1.6mm×1.6mm。 超薄高度，最大0.6mm。 引脚与Si8409DB兼容。 材料分类：有关合规性定义请参阅相关文档。应用：移动计算、智能手机、平板电脑。 负载开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI8487DB-T1-E1
商品编号
C727392
商品封装
UFBGA-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.056克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.9A
导通电阻(RDS(on))31mΩ@10V,2A
耗散功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th))600mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)4.48nF@15V
反向传输电容(Crss)330pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)200pF

数据手册PDF

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