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SI8487DB-T1-E1

1个P沟道耐压:30V 电流:4.9A

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描述: 特性：TrenchFET功率MOSFET。低导通电阻。超小外形尺寸，最大1.6mm×1.6mm。超薄高度，最大0.6mm。引脚与Si8409DB兼容。材料分类：有关合规性定义请参阅相关文档。应用：移动计算、智能手机、平板电脑。负载开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI8487DB-T1-E1
商品编号: C727392
商品封装: UFBGA-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.056克(g)

商品参数

P沟道30 V（D-S）MOSFET采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）技术，实现焊球工艺，无需外部封装包裹硅芯片。该技术减少了电池供电紧凑型设备的电路板空间需求，提高了热性能，并减轻了有引脚封装产品典型的寄生效应。

-移动计算、智能手机、平板电脑-负载开关-电池开关-充电器开关-过压保护开关