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SQ3469EV-T1_GE3
SQ3469EV-T1_GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ3469EV-T1_GE3
- 商品编号
- C727379
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 通过 AEC-Q101 认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感应开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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