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SQJ148EP-T1_GE3
汽车级N沟道，40 V（D-S），175 °C MOSFET
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- 描述
- 特性：采用TrenchFET功率MOSFET。 通过AEC-Q101认证。 进行100% Rg和UIS测试。 材料分类：如需了解合规定义，请参见相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ148EP-T1_GE3
- 商品编号
- C727381
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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