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SI7113ADN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:100V 电流:10.8A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：中间直流/直流电源中的有源钳位。 LED照明
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7113ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C727382
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 132mΩ@10V,3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.65nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交13单
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