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SIA485DJ-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIA485DJ-T1-GE3

1个P沟道 耐压:150V 电流:1.6A

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描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 小尺寸。 低导通电阻。 100% Rg和UIS测试。应用：有源钳位开关。 负载开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIA485DJ-T1-GE3
商品编号
C727363
商品封装
PowerPAK-SC-70-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on))2.6Ω@10V,1.6A
耗散功率(Pd)2.9W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.2nC@10V
输入电容(Ciss)155pF@75V
反向传输电容(Crss)5.5pF@75V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)8pF

数据手册PDF

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