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SIA907EDJT-T1-GE3实物图
  • SIA907EDJT-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIA907EDJT-T1-GE3

双P沟道，20 V（D-S）MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。热增强型薄型PowerPAK SC-70封装。小尺寸封装。低导通电阻。典型ESD保护：1500 V HBM。高速开关。应用：便携式设备的充电器开关、负载开关。电池管理
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIA907EDJT-T1-GE3
商品编号
C727356
商品封装
PowerPAK-SC-70-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.051317克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))57mΩ@4.5V,3.6A
耗散功率(Pd)1.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)4.9nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF

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