SIB417EDK-T1-GE3
SIB417EDK-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIB417EDK-T1-GE3
- 商品编号
- C727358
- 商品封装
- PowerPAK-SC-75-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用新型热增强型 PowerPAK SC-75 封装
- 占用面积小
- 导通电阻低
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 典型静电放电 (ESD) 保护能力达 900 V
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- P 沟道 MOSFET
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