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SIB422EDK-T1-GE3
N沟道，20 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAk SC-75封装。 小尺寸。 低导通电阻。 0.75mm薄型设计。 典型ESD保护4000V。应用：便携式设备。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIB422EDK-T1-GE3
- 商品编号
- C727360
- 商品封装
- PowerPAK-SC-75-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET,具备热增强型PowerPAK SC-75封装
- 占位面积小
- 导通电阻低
- 厚度仅0.75 mm
- 典型ESD保护能力达4000 V
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 便携式设备
- 负载开关
- 电池开关
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