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SIB422EDK-T1-GE3实物图
  • SIB422EDK-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIB422EDK-T1-GE3

N沟道，20 V（D-S）MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAk SC-75封装。 小尺寸。 低导通电阻。 0.75mm薄型设计。 典型ESD保护4000V。应用：便携式设备。 负载开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIB422EDK-T1-GE3
商品编号
C727360
商品封装
PowerPAK-SC-75-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.1A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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