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SI1441EDH-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1441EDH-T1-GE3
- 商品编号
- C727359
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用铜引脚框架的新型单通道6引脚SC-70封装与现有的采用42号合金引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可改善导通电阻值并增强热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件有多种导通电阻值可供选择，包括N沟道和P沟道版本。
商品特性
- 沟槽式场效应管功率MOSFET
- 典型ESD性能1500 V
- 100%进行Rg测试
应用领域
-便携式设备负载开关-手机-数码相机-便携式游戏机-MP3-GPS
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