SQA410EJ-T1_GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:7.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义。TrenchFET 功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证。100% Rg 和 UIS 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQA410EJ-T1_GE3
- 商品编号
- C727351
- 商品封装
- SC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,7.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 13.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交8单
相似推荐
其他推荐
- SI5457DC-T1-GE3
- SIA427ADJ-T1-GE3
- SIA477EDJT-T1-GE3
- SIA811ADJ-T1-GE3
- SIA907EDJT-T1-GE3
- SIB406EDK-T1-GE3
- SIB417EDK-T1-GE3
- SI1441EDH-T1-GE3
- SIB422EDK-T1-GE3
- SI8466EDB-T2-E1
- SIA485DJ-T1-GE3
- SI2301BDS-T1-GE3
- SISA88DN-T1-GE3
- SIA430DJT-T4-GE3
- SIA928DJ-T1-GE3
- SI8497DB-T2-E1
- SQ1470AEH-T1_GE3
- SQ3418EV-T1_GE3
- SQ3425EV-T1_GE3
- SQ3457EV-T1_GE3
- SQ3469EV-T1_GE3

