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SI5457DC-T1-GE3

1个P沟道耐压:20V 电流:6A

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描述: 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：便携式设备。负载开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI5457DC-T1-GE3
商品编号: C727352
商品封装: SMD-8P,3.2x1.6mm
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

采用无引脚1206 - 8封装的新型ChipFET与常用的1206 - 8电阻器和电容器外形相同，但具备真正功率半导体器件的所有性能。1206 - 8 ChipFET与LITTLE FOOT TSOP - 6的主体占位面积相同，从可视化电路板面积的角度来看，可将其视为无引脚的TSOP - 6，但其热性能可与大得多的SO - 8相媲美。

商品特性

TrenchFET功率MOSFET
100%进行Rg测试
符合RoHS标准且无卤素

应用领域

-便携式设备-负载开关-充电器开关-电池开关-DC/DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	36mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	5.7W
	阈值电压(Vgs(th))	1.4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	12.5nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1nF
	反向传输电容(Crss)	195pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	225pF