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SIA427ADJ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:8V 电流:12A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 小尺寸。 低导通电阻。 100% Rg测试。应用：负载开关，用于便携式和手持设备的1.2V电源线
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA427ADJ-T1-GE3
- 商品编号
- C727353
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 690pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 735pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 热性能增强型PowerPAK SC-70封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 用于便携式和手持设备1.2 V电源线的负载开关
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