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SI1965DH-T1-E3实物图
  • SI1965DH-T1-E3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI1965DH-T1-E3

2个P沟道 耐压:12V 电流:1.3A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1965DH-T1-E3
商品编号
C727348
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)1.3A
导通电阻(RDS(on))390mΩ@4.5V,1A
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)4.2nC@8V
输入电容(Ciss)120pF@6V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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