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SIA461DJ-T1-GE3
P沟道，20 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，热增强型PowerPAK@ SC-70封装。 小占地面积。 低导通电阻。应用：智能手机、平板电脑、移动计算设备。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA461DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C727346
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051317克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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