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SIA430DJT-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 小占地面积。 超薄0.6mm高度。 100% Rg测试。应用：负载开关。 DC/DC转换
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA430DJT-T1-GE3
- 商品编号
- C727347
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 热性能增强的PowerPAK SC - 70封装
- 占用面积小
- 超薄,高度仅0.6 mm
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准,无卤
应用领域
- 负载开关
- DC/DC转换
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