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SI1050X-T1-GE3
1个N沟道 耐压:8V 电流:1.34A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rth测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1050X-T1-GE3
- 商品编号
- C727340
- 商品封装
- SC-89-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 151mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-便携式设备的负载开关
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