SI1403BDL-T1-E3
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1403BDL-T1-E3
- 商品编号
- C727338
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些新型器件适用于需要小型化封装且需切换低电流（约350 mA）的小信号应用，可直接切换或采用电平转换配置进行切换。与3引脚封装相比，新型6引脚SC - 70封装可改善导通电阻值并增强热性能。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 符合RoHS标准
- 无卤
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