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WST02N30
1个N沟道 耐压:300V 电流:2A
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- 描述
- WST02N30 是硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST02N30
- 商品编号
- C5772628
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0422克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 138pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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