- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQD12N20LTM-F085
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD12N20LTM-F085
- 商品编号
- C605172
- 商品封装
- DPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
商品特性
- 9.0 A、200 V,RDS(on) = 280 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 4.5 A
- 低栅极电荷(典型值16 nC)
- 低Crss(典型值17 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器
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