FDI038AN06A0
1个N沟道 耐压:60V 电流:17A 电流:80A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDI038AN06A0
- 商品编号
- C605025
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A；80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 367pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下，RDS(on) = 3.5 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V条件下，QG(tot) = 96 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动器和不间断电源