FDMD8560L
FDMD8560L
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8560L
- 商品编号
- C605030
- 商品封装
- Power(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双功率（5 mm X 6 mm）封装中集成了两个60V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部连接，适用于半桥/全桥应用，采用低源极电感封装，具备低rDS(on)/Qg品质因数的硅片。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 22 A时,最大rDS(on) = 3.2 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 18 A时,最大rDS(on) = 5.4 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 22 A时,最大rDS(on) = 3.2 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 18 A时,最大rDS(on) = 5.4 mΩ
- 非常适合桥拓扑结构初级侧的灵活布局
- 经过100% UI1L测试
- 具备开尔文高端MOSFET驱动引脚功能
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压:电信半桥/全桥转换器的初级开关
- 电机桥:无刷直流电机半桥/全桥转换器的初级开关
- 中压负载点:48V同步降压开关
- 半桥/全桥次级同步整流