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NCP81161MNTBG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP81161MNTBG

兼容VR12.5的同步降压MOSFET驱动器

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描述
NCP81161是一款高性能双MOSFET栅极驱动器,针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载,传播延迟为25 ns,转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP81161MNTBG
商品编号
C603811
商品封装
DFN-8-EP(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)-
工作电压4.5V~13.2V
属性参数值
上升时间(tr)16ns
下降时间(tf)11ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-10℃~+125℃
输入高电平(VIH)3.4V
输入低电平(VIL)700mV

商品概述

NCP81161是一款高性能双MOSFET栅极驱动器,针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载,传播延迟为25 ns,转换时间为20 ns。 自适应抗交叉导通和节能运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案。当栅极驱动器在过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)情况下检测到故障时,双向使能(EN)引脚可向控制器提供故障信号。此外,欠压锁定功能可确保在电源电压较低时输出为低电平。

商品特性

  • 更快的上升和下降时间
  • 自适应抗交叉导通电路
  • 集成自举二极管
  • 预过压(Pre OV)功能
  • 零电流检测(ZCD)
  • 浮动高端驱动器可承受高达35 V的升压电压
  • 输出禁用控制可关闭两个MOSFET
  • 欠压锁定
  • 轻载条件下的节能运行
  • 可直接与NCP6151及其他兼容的PWM控制器接口
  • 热增强型封装
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • 台式机系统的电源解决方案
  • NCP81161栅极驱动器是一款单相MOSFET驱动器,专为同步降压转换器拓扑中的N沟道MOSFET驱动而设计。该栅极驱动器针对台式机应用进行了优化。

数据手册PDF

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购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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