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NCP81080DR2G
NCP81080DR2G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP81080DR2G
- 商品编号
- C603805
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 800mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 5.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 19ns | |
| 下降时间(tf) | 17ns | |
| 工作温度 | -40℃~+140℃ |
商品概述
NCP81080是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动半桥N沟道MOSFET而优化。NCP81080采用自举技术，以确保高端功率开关的正常驱动。高悬浮顶部驱动器设计可承受高达180 V的半桥电压。NCP81080内置抗交叉导通电路，具有135 ns的固定内部死区时间，可防止电流直通。NCP81080提供2x2 mm DFN和SOIC封装。
商品特性
- 驱动高端和低端配置的两个N沟道MOSFET
- 浮动顶部驱动器可承受高达180 V的升压电压
- 开关频率高达500 kHz
- 电流直通保护
- 135 ns固定内部死区时间
- 44 ns上升和30 ns下降传播延迟时间
- 0.5 A峰值源电流和0.8 A峰值灌电流
- 带1000 pF负载时，上升时间19 ns/下降时间17 ns
- 高端和低端欠压锁定（UVLO）保护
应用领域
- 电信和数据通信
- 隔离和非隔离电源架构
- D类音频放大器
- 双开关和有源钳位正激转换器
- 电机驱动器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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