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NCP81080MNTBG

高性能，双路MOSFET栅极驱动器

描述: NCP81080是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动半桥N沟道MOSFET而优化。NCP81080采用自举技术，确保高端功率开关的正常驱动。高浮动顶部驱动器设计可承受高达180 V的HB电压。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP81080MNTBG
商品编号: C603806
商品封装: DFN-8(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.028克(g)

商品参数

商品概述

NCP81080是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动半桥N沟道MOSFET而优化。NCP81080采用自举技术，以确保高端功率开关的正常驱动。高悬浮顶部驱动器设计可承受高达180 V的半桥电压。NCP81080内置抗交叉导通电路，具有135 ns的固定内部死区时间，可防止电流直通。NCP81080提供2x2 mm DFN和SOIC封装。

商品特性

驱动高端和低端配置的两个N沟道MOSFET
浮动顶部驱动器可承受高达180 V的升压电压
开关频率高达500 kHz
电流直通保护
135 ns固定内部死区时间
44 ns上升和30 ns下降传播延迟时间
0.5 A峰值源电流和0.8 A峰值灌电流
带1000 pF负载时，上升时间19 ns/下降时间17 ns
高端和低端欠压锁定（UVLO）保护

应用领域

电信和数据通信
隔离和非隔离电源架构
D类音频放大器
双开关和有源钳位正激转换器
电机驱动器

数据手册PDF

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交货周期

订货79-81个工作日

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)

个

起订量：3000 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	800mA
	拉电流(IOH)	500mA
	工作电压	5.5V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	19ns
	下降时间(tf)	17ns
	传播延迟 tpLH	44ns
	传播延迟 tpHL	30ns
	特性	欠压保护(UVP)；短路保护(SCP)
	工作温度	-40℃~+140℃
	静态电流(Iq)	850uA