CMD65R600Q
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
- 品牌名称Cmos(广东场效应半导体)
商品型号
CMD65R600Q商品编号
C5371868商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ | |
| 功率(Pd) | 25W |
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