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CMD65P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:65A
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- 描述
- P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD65P02
- 商品编号
- C5371867
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@2.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
63P04L采用先进技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源