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CMD6015
1个N沟道 耐压:150V 电流:19A
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- 描述
- 6015采用了独特优化的沟槽MOSFET技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)、Ciss和Coss组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD6015
- 商品编号
- C5371864
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V；78mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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