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CMD40N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 40N10采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD40N10
- 商品编号
- C5371862
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
100N03B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于电源中的低电压、高速开关应用。
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LED控制器
- 电源
- DC-DC转换器