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TPD4E05U06DQAR

单向ESD 3.3V截止峰值脉冲电流：5A

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描述: 这款高性能ESD静电防护二极管采用DFN2510-10L封装，内含4个独立单向通道。工作电压额定值VRWM为3.3V，每个通道可承受瞬态脉冲电流IPP高达5A，且结电容低至0.3pF，特别适合高速数据接口的ESD防护需求，提供卓越的信号完整性保护，有效抵御静电冲击，确保电路安全稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: TPD4E05U06DQAR
商品编号: C5337182
商品封装: DFN2510-10L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.029克(g)

商品参数

商品概述

TPD4E05U06DQAR 是一款 4 通道超低电容轨钳位 ESD 保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负 ESD 电流导向正或负轨。在正负电源轨之间的阵列中集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为 GND）与系统接地相连。正 ESD 电流通过 ESD 二极管和齐纳二极管导向接地，正 ESD 电压被钳位到齐纳电压。

商品特性

固态硅雪崩技术
低工作和钳位电压
多达四条 I/O 线路保护
超低电容：典型值 0.5pF（I/O 到 I/O）
低泄漏
低工作电压：3.3V
直通式设计
DFN2510 - 10L（USON - 10(1x2.5)）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	5A
	峰值脉冲功率(Ppp)	150W
	击穿电压(VBR)	6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	四路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.8pF