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FQD50N06-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 本款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高规格N沟道半导体器件，具有60V的工作电压和强大50A电流处理能力。专为各类电源转换、开关应用设计，以卓越的能效表现与稳定性，满足现代电子设备对高性能MOSFET的需求。
- 商品型号
- FQD50N06-HXY
- 商品编号
- C5337189
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 60V,ID = 50A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源