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BSN20
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:50V 电流:0.5A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于精确控制小电流电路。其最大电流为0.5A，耐压高达50V，内阻典型值为1200mR。开启电压VGS为20V。该元器件具有高稳定性和低功耗特性，适合用于电源管理、信号放大等多种电子系统。
- 商品型号
- BSN20
- 商品编号
- C5337203
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |