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BSN20

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:50V 电流:0.5A

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描述
这款N型场效应管,适用于精确控制小电流电路。其最大电流为0.5A,耐压高达50V,内阻典型值为1200mR。开启电压VGS为20V。该元器件具有高稳定性和低功耗特性,适合用于电源管理、信号放大等多种电子系统。
商品型号
BSN20
商品编号
C5337203
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
耗散功率(Pd)600mW
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)800nC@10V
输入电容(Ciss)22pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)6pF

数据手册PDF