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2SK3018
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，提供精确的0.1A电流控制。具备低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于电池保护、信号切换等低功耗电子应用，实现高效能与节能的功率管理解决方案。
- 商品型号
- 2SK3018
- 商品编号
- C5337204
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
130N85采用先进的技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。 该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，最大rDS(on) = 6.6 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器-电源