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NTD25P03LG-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，可稳定承载20A电流。专为低压、高效率的消费电子开关应用设计，提供出色的导通性能和能效表现，是提升电源转换系统性能与可靠性的理想半导体组件。
- 商品型号
- NTD25P03LG-HXY
- 商品编号
- C5337193
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
IRF7416TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -11A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源