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SI2323实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2323

1个P沟道 耐压:20V 电流:5A

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描述
这款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,具备5A大电流处理能力。凭借其低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换等领域,为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
商品型号
SI2323
商品编号
C5337196
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.032克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V,4.9A
耗散功率(Pd)1.31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))400mV
栅极电荷量(Qg)14.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.2nF@15V
反向传输电容(Crss)151pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

LBSS84-HXY采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = -50 V,ID = -0.1 A
  • 当VGS = -10 V时,RDS(ON) < 5 Ω
  • 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 6 Ω

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • DC-DC转换器
  • SOT-23封装
  • P沟道MOSFET

数据手册PDF