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IRLML2502TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，最大连续电流6A。专为高效能电子应用设计，具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等领域，实现精准可靠的功率控制与管理。
- 商品型号
- IRLML2502TRPBF-HXY
- 商品编号
- C5337200
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）防护高达2kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 电机控制-电源管理功能-背光照明