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BSS131实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS131

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:240V 电流:0.1A

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描述
这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和240V的电压承受范围。其内阻典型值为3000mΩ,VGS为20V。适用于需要低功耗和高稳定性的应用场景,如电源管理、信号放大及开关控制等,确保系统高效运行。
商品型号
BSS131
商品编号
C5337202
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)240V
连续漏极电流(Id)100mA
导通电阻(RDS(on))14Ω@10V,0.1A
耗散功率(Pd)360mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)3.1nC@10V
输入电容(Ciss)77pF@25V
反向传输电容(Crss)4.2pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

SK14N10-P8是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,为大多数AC/DC快充同步整流应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。

商品特性

  • 100%保证抗雪崩能力
  • 低漏源导通电阻(RDS(ON))
  • 低栅极电荷
  • 符合RoHS标准且无卤

数据手册PDF