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SI2318
1个N沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为40V电压系统设计，具备5A强大电流处理能力。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中，实现高效、稳定的功率转换与控制。
- 商品型号
- SI2318
- 商品编号
- C5337198
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI2319采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = - 40V，ID = - 5A
- 当VGS = - 10V时，RDS(ON) < 85mΩ
- 当VGS = - 4.5V时，RDS(ON) < 120mΩ
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 直流-直流转换器