温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BS170FTA-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，电流容量为0.3A。专为低至中等功率应用设计，具备优秀的开关性能与低导通电阻，广泛应用于电池管理、信号切换等领域，实现精准的功率控制和高效能运作。
- 商品型号
- BS170FTA-HXY
- 商品编号
- C5337199
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON)：栅源电压VGS@10V、漏极电流ID@5.6A时，小于30mΩ
- 漏源导通电阻RDS(ON)：栅源电压VGS@4.5V、漏极电流ID@3.5A时，小于45mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 获得质量体系认证：TS16949
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）