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SI2308实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2308

1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A

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描述
此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为60V电压系统设计,提供高达3A的连续电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换等场景,实现高效、稳定的功率控制。
商品型号
SI2308
商品编号
C5337194
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V,2.5A
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)3.9nC@27V
输入电容(Ciss)295pF@25V
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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