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SI2308
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，提供高达3A的连续电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制。
- 商品型号
- SI2308
- 商品编号
- C5337194
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@27V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BSS308PE-HXY采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -4.1 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 56 mΩ
应用领域
- 表面贴装封装
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理
- SOT-23封装
- P沟道MOSFET