温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS84
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为50V电压应用设计，额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关特性，尤其适用于电池保护、信号切换等精细功率控制场合，实现电子设备高效节能的运作。
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C5337191
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FQD50N06-HXY采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源