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FDS4435A-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V电压系统设计，具备9A大电流处理能力。具有低导通电阻和优良的开关性能，适用于电池保护、电源控制及各类中高功率应用场合，是提升消费电子设备能效的理想之选。
- 商品型号
- FDS4435A-HXY
- 商品编号
- C5337190
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 1.5V驱动
- 低导通电阻
- 内置栅源（G-S）保护二极管
- 小型表面贴装封装（TSMT3）
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 开关应用