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LBSS84-HXY
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.1A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关性能，特别适合于电池保护、信号切换等精细控制场景，提供精准且高效的功率管理解决方案。
- 商品型号
- LBSS84-HXY
- 商品编号
- C5337187
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD4184-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 60 A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源