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LDP2010DT1G
2个P沟道 耐压:20V 电流:4.7A
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LDP2010DT1G
- 商品编号
- C5273383
- 商品封装
- DFN2020-6D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 当栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -4.7A 时,导通电阻(RDS(ON))≤70mΩ
- 当栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏源电流(IDS)为 -1.0A 时,导通电阻(RDS(ON))≤80mΩ
- 我们声明该产品的材料符合 RoHS 要求且无卤。
- “S-” 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件。
- 人体模型静电放电(ESD)等级为 0 级(<100V)
应用领域
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻。