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LDP2010DT1G实物图
  • LDP2010DT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LDP2010DT1G

2个P沟道 耐压:20V 电流:4.7A

商品型号
LDP2010DT1G
商品编号
C5273383
商品封装
DFN2020-6D​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.7A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@4.5V,4.7A
耗散功率(Pd)1.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)7.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)800pF@10V
反向传输电容(Crss)78pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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