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G16N03S
1个N沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G16N03S
- 商品编号
- C5258953
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 234pF |
商品概述
ST3427SRG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合。该产品采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 60V / -5.0A，在VGS = -10V时，RDS(ON) = 135 mΩ（典型值）
- 60V / -2.5A，在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 160 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23封装设计
应用领域
- 手机和笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路