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G90P04K
1个P沟道 耐压:40V 电流:90A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G90P04K
- 商品编号
- C5258959
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.331nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 612pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该产品采用先进的沟槽技术MOSFET，具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，也适用于许多其他应用。
商品特性
- 漏源电压VDS：30V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：6A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 15mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：< 23mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器