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G26P04K
1个P沟道 耐压:40V 电流:26A
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G26P04K
- 商品编号
- C5258958
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.849nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 203pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 212pF |
商品概述
G36N03K采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：30V
- 栅源电压（VGS）=10V时，漏极电流（ID）为36A
- VGS = 10V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)）< 8.5 mΩ
- VGS = 4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)）< 14 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器