温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G7P03D2
P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G7P03D2
- 商品编号
- C5258946
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
G7P03D2采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS:-30V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-7A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):< 20.5 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 26 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源(SMPS)或LED驱动器中的同步整流
- 不间断电源(UPS)
- 电机控制
- 电池管理系统(BMS)
- 高频电路