温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 485.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65.2pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该产品采用先进的沟槽技术MOSFET,具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,也适用于许多其他应用。
商品特性
- 漏源电压VDS:30V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):6A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 15mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 23mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器